開(kāi)關(guān)電源類(lèi)產(chǎn)品在現代電子設備中應用廣泛，因其高效穩壓功能成為各行業(yè)電源解決方案的shouxuan。開(kāi)關(guān)電源在工作過(guò)程中往往會(huì )產(chǎn)生較強的電磁干擾（EMI），對設備的電磁兼容性（EMC）造成挑戰。作為深圳市南柯電子科技有限公司的技術(shù)工程師，本文將圍繞【開(kāi)關(guān)電源類(lèi)產(chǎn)品 EMC 設計：GJB 151B 標準輻射整改項目，強化屏蔽效果】這一主題，深度剖析我司針對項目中出現的輻射發(fā)射問(wèn)題進(jìn)行整改的全過(guò)程，涵蓋輻射發(fā)射摸底測試、整改方案制定及實(shí)施，結合傳導發(fā)射的檢測與整改，旨在為行業(yè)同仁提供切實(shí)有效的EMC整改思路和經(jīng)驗借鑒。

一、開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品成分與EMC影響分析

開(kāi)關(guān)電源內部主要包含高頻開(kāi)關(guān)器件、變壓器、電感元件、濾波電路及保護電路等模塊。由于開(kāi)關(guān)頻率高且變化迅速，開(kāi)關(guān)節點(diǎn)及變壓器容易成為輻射發(fā)射的強源。具體成分及其對應的EMC影響如下：

開(kāi)關(guān)管及驅動(dòng)電路：開(kāi)關(guān)管的快速導通與關(guān)斷產(chǎn)生高速變換電流，引起高頻噪聲。 變壓器和電感：由于繞組之間和線(xiàn)圈與鐵芯之間感應耦合，容易產(chǎn)生磁場(chǎng)輻射。 濾波器電容和電感：對高頻雜波電流的抑制作用有限，存在潛在的傳導干擾源。 印刷電路板（PCB）布局：布局不合理會(huì )加大互電容和互感效應，增加輻射和傳導干擾。

基于上述因素，設計階段必須高度重視輻射及傳導發(fā)射的控制，確保符合國防電工產(chǎn)品標準GJB 151B的要求，為后續輻射整改奠定基礎。

二、項目背景與標準依據：GJB 151B

GJB 151B是我國軍事裝備電磁兼容試驗方法的基礎標準，涵蓋產(chǎn)品的輻射發(fā)射、傳導發(fā)射、抗擾度等技術(shù)指標。開(kāi)關(guān)電源作為關(guān)鍵配套元件，其電磁發(fā)射指標必須滿(mǎn)足該標準的限值，確保在復雜電磁環(huán)境下穩定工作。

本項目中，深圳市南柯電子科技有限公司承擔一款開(kāi)關(guān)電源類(lèi)產(chǎn)品的輻射發(fā)射整改任務(wù)，初步輻射發(fā)射摸底測試結果顯示部分頻段超標。結合傳導發(fā)射的摸底數據，整體EMC性能力亟需通過(guò)有效整改加以提升，重點(diǎn)強化屏蔽及濾波效果，避免對綜合裝備系統造成干擾。

三、輻射發(fā)射摸底測試過(guò)程及結果分析

輻射發(fā)射摸底測試是EMC整改的首要環(huán)節。深圳市南柯電子科技有限公司采用符合GJB 151B標準的半自由空間法和法拉第室環(huán)境，對產(chǎn)品在30MHz至1GHz乃至更高頻率范圍內的場(chǎng)強進(jìn)行全面掃描。

測試中發(fā)現：

55MHz至150MHz頻段內，部分關(guān)鍵諧波明顯超標，表明開(kāi)關(guān)頻率及其倍頻影響強烈。 部分高頻段輻射值呈尖峰狀，推斷為開(kāi)關(guān)節點(diǎn)的共模輻射未有效抑制。 軸向輻射及非軸向輻射均存在，需從各角度評估整改方案。

此階段輻射發(fā)射摸底測試為后續設計優(yōu)化和整改提供了準確依據。

四、傳導發(fā)射摸底測試與整改需求

在完成輻射摸底后，傳導發(fā)射摸底測試同步進(jìn)行。傳導發(fā)射是通過(guò)電源線(xiàn)和信號線(xiàn)向外泄漏的干擾信號，常見(jiàn)于低頻段，且容易影響電網(wǎng)及其他設備正常工作。

檢測結果顯示：

在150kHz到30MHz頻段，傳導發(fā)射峰值明顯，直流輸入接口尤為突出。 傳導發(fā)射的主干擾信號主要源自開(kāi)關(guān)門(mén)開(kāi)啟瞬間的尖峰電流。 濾波網(wǎng)絡(luò )設計不完善，導致濾波效果不足，未能有效抑制高頻噪聲。

傳導發(fā)射整改是保證整體電磁兼容性的關(guān)鍵環(huán)節，不能忽視與輻射整改的同步進(jìn)行。

五、輻射發(fā)射整改策略與方案設計

針對摸底測試結果，深圳市南柯電子科技有限公司制定了一系列具體整改措施，重點(diǎn)強化屏蔽效果和濾波設計，主要包括：

屏蔽結構優(yōu)化：增加金屬外殼厚度，采用高導電性能的合金材料，提高屏蔽層的完整性與覆蓋率，減少電磁波從縫隙泄漏。 PCB布局改善：優(yōu)化開(kāi)關(guān)管及高頻節點(diǎn)的地線(xiàn)回路，縮短環(huán)路面積，降低電磁輻射源強度。 添加鐵氧體磁珠：關(guān)鍵線(xiàn)路處加裝鐵氧體磁珠，對高頻干擾信號起到有效抑制作用，防止共模干擾擴散。 布置吸收材料：在殼體內部覆蓋吸波材料，吸收剩余輻射能量，降低殼體外泄電磁波。

以上措施協(xié)同作用，顯著(zhù)提高開(kāi)關(guān)電源的整體EMC表現。

六、傳導發(fā)射整改措施與濾波網(wǎng)絡(luò )優(yōu)化

傳導發(fā)射整改重點(diǎn)在于增強濾波能力及抑制尖峰電流，其措施細化為：

增設共模電感與差模電感組合濾波器有效減少傳導噪聲。 選用高質(zhì)量X型和Y型電容，提高濾波器的高頻響應。 增加輸入側緩沖電容，穩定輸入電壓波動(dòng)，降低電流尖峰。 合理選擇布線(xiàn)走向及距離，避免濾波器輸入輸出端的相互干擾。

通過(guò)上述傳導發(fā)射整改的持續優(yōu)化，有效降低了傳導干擾電平，確保開(kāi)關(guān)電源符合GJB 151B的嚴苛限制。

七、整改效果驗證與后續建議

整改完成后，深圳市南柯電子科技有限公司組織了多輪輻射及傳導發(fā)射復測，取得以下成果：

測試項目 整改前 整改后 標準限值

輻射發(fā)射峰值（55-150MHz）	超標5-8dB	低于限值2dB	-15dBμV/m（具體標準視頻段而定）
傳導發(fā)射峰值（150kHz-30MHz）	超標3-6dB	低于限值3dB	限值依GJB 151B詳細規定

整改結果表明，強化屏蔽效果結合濾波優(yōu)化是開(kāi)關(guān)電源EMC設計中的核心方法。深圳市南柯電子科技有限公司建議：

產(chǎn)品設計初期介入EMC風(fēng)險評估，避免返工。 持續采用輻射發(fā)射摸底測試與傳導發(fā)射摸底測試雙軌制，實(shí)時(shí)監控干擾源。 增設試驗驗證環(huán)節，模擬不同使用環(huán)境，確保產(chǎn)品穩定合規。

八、深圳技術(shù)賦能 電磁兼容穩步提升

作為立足深圳這一科技創(chuàng )新高地的企業(yè)，深圳市南柯電子科技有限公司深知EMC合規能力是產(chǎn)品競爭力的重要體現。通過(guò)本次GJB 151B標準下的輻射整改項目實(shí)踐，我們出開(kāi)關(guān)電源類(lèi)產(chǎn)品在輻射和傳導發(fā)射問(wèn)題上的共性規律和有效解決方案。期待更多廠(chǎng)商關(guān)注開(kāi)關(guān)電源的EMC設計，提前部署輻射整改工作，從而提升產(chǎn)品市場(chǎng)競爭力。

如果您的企業(yè)正面臨開(kāi)關(guān)電源輻射發(fā)射超標問(wèn)題，或需傳導發(fā)射的專(zhuān)項整改，深圳市南柯電子科技有限公司提供從輻射發(fā)射摸底測試、傳導發(fā)射摸底、整改方案設計到整改實(shí)施的全流程技術(shù)支持。歡迎聯(lián)系我們共謀高質(zhì)量EMC合規之路。