| 單價(jià)： | 面議 |
| 發(fā)貨期限： | 自買(mǎi)家付款之日起 天內發(fā)貨 |
| 所在地： | 直轄市 北京 |
| 有效期至： | 長(cháng)期有效 |
| 發(fā)布時(shí)間： | 2023-12-15 12:05 |
| 最后更新： | 2023-12-15 12:05 |
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1）TDQS概述：
我們能在任何一個(gè)內存條的datasheet上看到TDQS/TDQS#的描述：
Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are
no function.
2）TDQS/TDQS#功能：
DDR3中，加入了TDQS/TDQS#的功能，其引腳與DM復用。通過(guò)MR1寄存器進(jìn)行功能的選通（僅在x8的顆粒上使用；x4與x16的顆粒需要關(guān)閉該功能）：
DDR基礎知識之TDQS理解
該功能簡(jiǎn)化了，x4與x8-RDIMMs混合使用的存儲器控制系統的設計。x8的內存條中每8bits需要一對DQS、x4的內存條中每4bits需要一對DQS.在x4與x8混合使用的系統中，DQS信號的負載不同，而該不同會(huì )產(chǎn)生SI問(wèn)題。
需要注意的是：在DDR3中，TDQS/TDQS#僅提供端接的功能。
3）舉例說(shuō)明：
DDR基礎知識之TDQS理解
